MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片
原标题：MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
AI 摘要
铭芯启睿（MemSilicon）于2026年10月12日宣布完成国际首款基于1TnR技术路线的高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，目前正在推进验证。公司围绕嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM及RRAM与DRAM混合存算三条产品线布局，呼应工信部与发改委将阻变存储器列入发展方向的政策。
正文节选
MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片 CMOS标准工艺兼容的1TnR技术路线加速研发。 2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。 “泰山一号”是MemSilicon将1TnR高密度、大容量新型存储芯片技术从早期研究推向Gb级芯片产品化的里程碑。这一技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积内的存储容量，并利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，实现了密度、容量和成本兼得。 该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现了协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。 目前，“泰山一号”已完成流片，正在推进验证。 “泰山一号”封装图 01 需求激增，需要密度、容量和工艺兼容性的最优解 从高性能SoC到具身智能、AI PC等智能终端，芯片需要容纳