谦合益邦发布全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

AI 摘要

谦合益邦宣布其全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该技术从验证进入工程落地阶段。该芯片采用自研三维集成原生计算架构，实现计算与存储深度融合，访存带宽提升一个数量级，功耗和延时降低一个数量级。公司由网易孵化，近期完成超20亿元B轮融资，将推动云游戏等场景的硬件加速。

正文节选

0 近日，3D存算一体芯片领军企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。 该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。 在此基础上，该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构，将垂直扩展能力和空间推向新的高度。而垂直扩展能力，正是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键：堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的存储带宽与容量就越充足。但层数每增加一层，良率、可靠性与热管理等技术挑战也随之倍增，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制，每一环都考验着设计与工艺的极限。这一"4+1"堆叠架构的成功突破，将三维集成原生计算架构的工程落地推进到4层堆叠的全新高度，标志着我国在三维存算一体芯片领域取得了重大成果。 通过采用全新的三维集成原生计算架构，

发布时间：2026-08-21 14:18

抓取时间：2026-08-21 16:37

来源机构：雷峰网